BITÁCORA

Científicos chinos crean un imán resistivo 800.000 veces más fuerte que el campo terrestre

El Laboratorio de Alto Campo Magnético Estable (CHMFL) de la Academia China de las Ciencias consiguió mantener un campo magnético de 42,02 tesla con un imán resistivo, es decir, unas 800.000 veces más fuerte que el campo magnético de la Tierra.

Este avance supera el récord anterior de 41,4 tesla, establecido por el Laboratorio Nacional de Altos Magnetos de Estados Unidos en 2017.

El nuevo imán resistivo construido por China establece un nuevo límite de lo que es posible alcanzar y está a disposición de los investigadores internacionales para que lo prueben en materiales superconductores.

Pero este tipo de imanes consumen una enorme cantidad de energía y en el caso del que han creado en China, necesitó 32,3 megavatios para alcanzar los 42,02 teslas.

Para poder reducir el consumo de energía e incluso aumentar la cifra densidad de lujo magnético en teslas, se pueden crear diseños híbridos y superconductores. Por ejemplo, China creó un imán híbrido resistivo/superconductor que llegó a 45,22 teslas y en EE.UU. alcanzaron 45,5 teslas con un prototipo de imán mini superconductor.

Los imanes creados por China están totalmente abiertos a la colaboración internacional y contribuirán a nuevos descubrimientos en el campo de la ciencia de materiales, especialmente en el ámbito de los superconductores.

Los campos magnéticos elevados también han sido la tecnología subyacente que ha hecho posible casi una docena de descubrimientos galardonados con el Premio Nobel.

Fuente: Agencia ID.

Deja tu comentario

*

*

 

IMPORTANTE:
Sí: El usuario podrá preguntar, felicitar, realizar críticas constructivas y/o contribuir con opiniones relevantes en el campo de la ingeniería e infraestructura.
No: Molestar, intimidar o acosar de ninguna manera.Tampoco utilizará el espacio para la promoción de productos o servicios comerciales, así como de cualquier actividad que pueda ser calificada como SPAM.

Para saber más consulta los Términos de Uso de INGENET.